ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Собственный окисел, возникающий на поверхности скола
селенида галлия в результате длительного хранения

С.И.Драпак\kern1pt, С.В.Гаврилюк, З.Д.Ковалюк, О.С.Литвин\kern1pt*

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича
Черновицкого отделения Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина
* Институт физики полупроводников им. В.E. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 24 июля 2007 г. Принята к печати 4 сентября 2007 г.)

Исследована кристаллическая структура и морфология поверхности собственного окисла, возникающего на поверхности скола (0001) нелегированных и легированных Cd или Dy монокристаллов слоистого GaSe в результате длительного хранения в воздушной атмосфере. Проанализированы причины, которые приводят к различию внешнего вида окисных пленок на поверхности нелегированных (матовая поверхность) и легированных образцов (прозрачные пленки). Представлены результаты исследования электрических свойств систем <селенид галлия>-<собственный окисел>. Показано, что для пленок собственного окисла на поверхности GaSe характерна токовая неустойчивость с N-образной вольт-амперной характеристикой. Рассмотрено влияние относительной влажности воздуха на емкость и удельное поверхностное сопротивление собственного окисла. Обращено внимание на низкие значения эффективной диэлектрической постоянной собственного окисла.

PACS: 68.35.Ct, 73.40.Kp, 73.40.Cg, 73.40.Qv, 81.65.Mq

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster