ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства
гетероперехода IFO/p-Si

Г.Г.Унтила\kern1pt, Т.Н.Кост, А.Б.Чеботарева, М.Б.Закс\kern1pt*, А.М.Ситников\kern1pt*, О.И.Солодуха\kern1pt*

Научно-исследовательский институт им. Скобельцына Московского государственного университета им. Ломоносова,
119991 Москва, Россия
* Научно-производственная фирма \glqq Кварк\grqq,
350000 Краснодар, Россия

(Получена 13 августа 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Пленки In2O3 : F (IFO) наносили на кристаллический кремний и стекло методом pyrosol. Исследовано влияние температуры и кислорода в процессе нанесения, а также последующих отжигов в различных средах на фотоэлектрические свойства структуры IFO/Si. Обнаружено, что IFO формирует выпрямляющий контакт к p-Si, позволяет получить высокое фотонапряжение Up=586 мВ и внутренний квантовый выход более 97% для структуры IFO/(pp+)Si, обладает низким (0.3-0.4 мОм·см) удельным сопротивлением. Увеличению Up способствует повышение температуры осаждения IFO, низкое содержание кислорода в газе-носителе и отжиг в аргоне с парами метанола. Сделан вывод о сильном влиянии кислорода на поверхность зерен IFO, а также переходного слоя на фотоэлектрические свойства структуры IFO/(pp+)Si.

PACS: 84.60.Jt, 73.40.Ty, 73.61.-r, 78.66.-w, 85.30.De, 85.30.Hi

 PDF версия (228Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster