ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение энергии и концентрации амфотерных дефектов методом дифференциальной обработки температурной
зависимости концентрации свободных носителей

А.Г.Никитина\kern1pt, В.В.Зуев\kern1pt

Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
115409 Москва, Россия

(Получена 20 августа 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Исследовано применение дифференциальной обработки температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводниках в присутствии амфотерных центров как с положительной, так и с отрицательной корреляционной энергией и для различных условий компенсации. Обнаружено, что высота и положение максимума дифференциальной характеристки, обусловленных акцепторным состоянием, зависит от степени компенсации. Такая ситуация может ошибочно восприниматься как изменение концентрации центров и их энергетического спектра в запрещенной зоне полупроводника или образование новых дефектов в зависимости от условий компенсации.

PACS: 61.72.Bb, 71.55.-i, 72.20.My

 PDF версия (153Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster