ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов
ядерных излучений

А.М.Иванов\kern1pt, Н.Б.Строкан, В.В.Козловский\kern1pt*, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 13 августа 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Структуры с барьером Шоттки на основе CVD-пленок 4H-SiC облучались 8 МэВ протонами и 900 кэВ электронами. Максимальные дозы составили 1014 см-2 и 3· 1016 см-2 соответственно. В случае электронов первично вводимые радиационные дефекты являлись близко расположенными парами Френкеля. Сопоставлялись изменения электрофизических характеристик структур. Использовались емкостные методики и техника ядерной спектрометрии. С ее помощью определялась эффективность переноса заряда при импульсной ионизации alpha-частицами.

Облучение протонами приводит с ростом дозы к монотонному падению эффективности переноса. Для электронов эффективность в интервале доз (1-3)· 1016 см-2 не изменилась. Однако доза 3· 1016 см-2 привела к существенному возрастанию неоднородности условий переноса заряда по объему образца.

PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

 PDF версия (251Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster