ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода

В.И.Гаман, В.И.Балюба, В.Ю.Грицык, Т.А.Давыдова, В.М.Калыгина

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета,
634034 Томск, Россия

(Получена 14 мая 2007 г. Принята к печати 18 июня 2007 г.)

Обсуждаются экспериментальные данные по зависимости напряжения плоских зон и времени релаксации емкости области пространственного заряда МОП диода (Pd-SiO2-n-Si) от концентрации водорода в газовой смеси водород/воздух. Предполагается, что в МОП структуре с толщиной слоя SiO2 d=369 нм изменение напряжения плоских зон Ufb при воздействии газовой смеси водород/воздух можно объяснить образованием диполей в зазоре Pd-SiO2 за счет поляризации атомов водорода (Ha). Получено аналитическое выражение, описывающее зависимость изменения напряжения плоских зон Delta Ufb от концентрации водорода nH2. В МОП структурах с d=< 4 нм (или МОП диодах) Delta Ufb в основном обусловлено процессом пассивации атомами водорода центров, ответственных за наличие на границе SiO2-n-Si поверхностных состояний акцепторного типа. Получены аналитические выражения, описывающие зависимости Delta Ufb и времени релаксации емкости области пространственного заряда от nH2. Приводятся значения плотности центров адсорбции и теплоты адсорбции атомов водорода на границах раздела Pd-SiO2 и SiO2-n-Si.

PACS: 73.20.Hb, 73.40.Qv, 82.65.+r

 PDF версия (201Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster