ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs

М.Н.Дроздов, Н.В.Востоков, В.М.Данильцев, Ю.Н.Дроздов,
Л.Д.Молдавская, А.В.Мурель, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 19 июня 2007 г. Принята к печати 29 июня 2007 г.)

Методом металлорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs с квантовыми точками, демонстрирующие фотолюминесценцию в диапазоне 1.55 мкм при 300 K. Особенностью процесса роста является использование повышенной эффективности толщины слоя InAs deff для формирования квантовых точек в сочетании с низкотемпературным заращиванием их тонким (6 нм) слоем GaAs и со стадией отжига дефектов. Методами рентгеновской дифракции и фотолюминесценции в структурах с повышенной толщиной deff показано возникновение вторичного смачивающего слоя InGaAs поверх слоя квантовых точек из растворенных крупных релаксированных кластеров InAs при отжиге. Предложен новый механизм формирования крупных квантовых точек с большим значением \glqq aspect ratio\grqq, основанный на 2D-3D трансформации вторичного слоя InGaAs в поле упругих напряжений ранее сформированных квантовых точек. Особенностью массива квантовых точек является наличие трех популяций квантовых точек разных размеров с многомодовой фотолюминесценцией в диапазоне от 1 до 1.6 мкм. Исследуется применение таких структур в качестве фотоприемников на инфракрасный диапазон 1-2.5 мкм при комнатной температуре.

PACS: 78.55.Gr, 85.60.Cz, 68.65.Hb, 78.67.Hc, 81.15.Gh

 PDF версия (344Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster