ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Некоторые аспекты подбора примесей, улучшающих фотоэлектрические характеристики халькогенидных
стеклообразных полупроводников

И.И.Бурдиян, В.В.Косюк\kern1pt, Р.А.Пынзарь

Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко,
3300 Тирасполь, Молдова

(Получена 28 ноября 2006 г. Принята к печати 18 июня 2007 г.)

Рассматривается влияние малых концентраций легирующих примесей двух групп --- Sn, Pb, Dy, Ho, Y и In, Cs, Al --- на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7. Исследование спектральных распределений фотопроводимости и оптического поглощения показало отчетливое увеличение фотопроводимости при уровне легирования элементами первой группы до 0.015 ат%. Элементы второй группы примесей никаких заметных действий не производили. Действие элементов первой группы объясняется замещением вакантных мест, образованных отсутствием легколетучих атомов Se и S, небольшими концентрациями атомов примеси. Наблюдаемый эффект связан со способностью замещающих атомов сохранять ковалентную связь, с малым расхождением в размерах атомов и коэффициентов электронного сродства по отношению к S и Se. Атомы второй группы примесей этими признаками не обладают.

PACS: 61.43.Fs. 68.55.Ln, 71.55.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ng

 PDF версия (112Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster