ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотопроводимость тонких пленок
аморфного гидрированного кремния

А.Г.Казанский\kern1pt, О.Г.Кошелев, А.Ю.Сазонов\kern1pt+, А.А.Хомич

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
+ Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo,
Ontario, N2L 3G1, Canada

(Получена 20 февраля 2007 г. Принята к печати 18 апреля 2007 г.)

Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния (a-Si:H) толщиной 60-100 нм. Измерены температурные зависимости фотопроводимости в области температур 130-440 K и спектральные зависимости коэффициента поглощения в области края поглощения. Сравнительные измерения величины фотопроводимости при комнатной температуре и коэффициента поглощения в \glqq дефектной\grqq области спектра (энергия фотонов hnu=1.2 эВ) указывают на то, что рекомбинация неравновесных носителей и соответственно фотопроводимость пленок a-Si:H толщиной ~ 100 нм определяются концентрацией содержащихся в них дефектов.

PACS: 73.50.Gr, 73.50.Pz, 73.61.Jc

 PDF версия (146Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster