ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры

Г.А.Качурин, С.Г.Черкова, В.А.Володин, Д.В.Марин, M.Deutschmann\kern1pt$

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
$ Laser Zentrum Hannover,
30419 Hannover, Germany

(Получена 14 мая 2007 г. Принята к печати 24 мая 2007 г.)

Изучено действие мощных наносекундных (20 нс) и фемтосекундных (120 фс) лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры, создаваемые ионно-лучевым синтезом в слоях SiO2 или осаждением на стеклянные подложки. Наносекундные отжиги приводят к появлению полосы фотолюминесценции вблизи 500 нм, ее интенсивность растет с энергией и числом импульсов. Источниками излучения считаются кластеры атомов Si, сегрегированных из окисла. Наносекундные импульсы позволяют также кристаллизовать аморфные кремниевые нанопреципитаты в SiO2. Сильное легирование способствует кристаллизации. Длительности фемтосекундных импульсов недостаточно для сегрегации избыточного Si из SiO2. Вместе с тем они кристаллизуют тонкие пленки a-Si на стекле. Диапазон энергий обоих типов импульсов, при которых наблюдалась кристаллизация, допускал кратковременное плавление поверхности.

PACS: 61.46.Df, 61.46.Hk, 64.70.Nd, 78.67.Bf, 82.50.Hp

 PDF версия (210Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster