ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ионизация в электрическом поле DX-центра,
связанного с серой, в In1-xGaxP

Ю.К.Крутоголов

Научно-исследовательский институт материалов электронной техники,
248650 Калуга, Россия

(Получена 14 мая 2007 г. Принята к печати 18 июня 2007 г.)

С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и вольт-фарадных измерений исследовано влияние электрического поля на процесс ионизации DX-центра, связанного с серой, в слоях In1-xGaxP (x~0.65) n-типа проводимости, выращенных методом газовой эпитаксии. Показано, что при увеличении напряженности электрического поля от 1.3·104 до 1.9·105 В/см энергия активации центра падает от ~0.38 до ~0.26 эВ, причем процесс ионизации определяется многофононным туннелированием. По оцененному значению времени туннелирования дефекта сделано заключение, что DX-центр соответствует модели большой релаксации решетки.

PACS: 61.72.Ji, 71.55.Eq

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster