ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

О.В.Белова, В.Н.Шабанов, А.П.Касаткин, О.А.Кузнецов, А.Н.Яблонский\kern1pt*,
М.В.Кузнецов, В.П.Кузнецов\kern1pt, А.В.Корнаухов, Б.А.Андреев\kern1pt*, З.Ф.Красильник\kern1pt*

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 4 апреля 2007 г. Принята к печати 19 апреля 2007 г.)

Температурные зависимости концентрации и холловской подвижности электронов в эпитаксиальных слоях Si : Er/Sr исследовались после их выращивания при T=600oC и отжига при 700 и 900oC. Слои осаждались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~ 10-5 Па. Энергетические уровни донорных центров, связанных с Er, расположены на глубине 0.21--0.27 эВ от дна зоны проводимости Si. В интервале 80--300 K холловская подвижность электронов в неотожженных эпитаксиальных слоях Si : Er была в 3--10 раз меньше подвижности в монокристаллах Cz--Si. После отжига слоев доля рассеяния электронов на донорных центрах Er заметно уменьшается.

PACS: 73.20 Hb, 73.40.Lg, 78.60.Fi, 85.30.Kk

 PDF версия (192Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster