ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n-переходов

Е.В.Калинина, Н.Б.Строкан, А.М.Иванов, А.А.Ситникова, А.В.Садохин,
А.Ю.Азаров *, В.Г.Коссов *, Р.Р.Яфаев *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Электрон--Оптроник,
194223 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 апреля 2007 г. Принята к печати 4 мая 2007 г.)

Впервые представлены результаты исследования спектрометрических характеристик в температурном интервале 25-140oC матриц из 4 детекторов, выполненных на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n-переходов. Переходы создавались ионной имплантацией алюминия в эпитаксиальные слои 4H-SiC толщиной =<45 мкм, выращенные методом газотранспортной эпитаксии с концентрацией нескомпенсированных доноров (4-6)·1014 см-3. Структурные особенности ионно-легированных p+-слоев изучались с привлечением вторичной ионной масс-спектрометрии, просвечивающего электронного микроскопа и метода резерфордовского обратного рассеяния в режиме каналирования. Характеристики детекторных матриц определялись при тестировании на воздухе alpha-частицами естественного распада с энергией 3.76 МэВ. Экспериментально подтверждены данные, полученные ранее для аналогичных единичных детекторов, что с увеличением рабочей температуры улучшались основные характеристики детекторных матриц --- эффективность собирания заряда и разрешение по энергии.

PACS: 61.82.-d, 61.80.Jh, 87.66.Pm, 85.30.De, 29.40.Wk

 PDF версия (310Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster