ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

In situ исследование кинетики формирования КТ InSb в матрице InAs(Sb)

А.Н.Семенов\kern1pt, О.Г.Люблинская, В.А.Соловьев, Б.Я.Мельцер, С.В.Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 апреля 2007 г. Принята к печати 23 апреля 2007 г.)

Описаны особенности формирования квантовых точек InSb в матрице InAs без принудительного осаждения InSb методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования кинетики формирования квантовых точек InSb и смачивающего слоя InAsSb проводились in situ с использованием системы регистрации осцилляций интенсивности рефлексов на картине дифракции быстрых электронов. Исследовано влияние температуры подложки, последовательности работы заслонок и введения прерываний роста на свойства массива квантовых точек InSb. Прерывание роста сразу после выдержки поверхности InAs под потоком сурьмы приводит к уменьшению номинальной толщины InSb и улучшает однородность массива квантовых точек. Показано, что в случае осаждения квантовых точек InSb/InAs субмонослойной толщины роль смачивающего слоя выполняет сегрегационный слой InAsSb. Определены длина и коэффициент сегрегации сурьмы, а также их температурные зависимости.

PACS: 68.35.Dv, 81.30.Mh, 68.55.-a, 68.55.Hb, 81.15.Hi, 81.07.Ta

 PDF версия (342Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster