ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Каналы излучательной рекомбинации в Si/Si1-xGex-наноструктурах

Ю.А.Берашевич, А.С.Панфиленок, В.Е.Борисенко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Республика Беларусь

(Получена 22 марта 2007 г. Принята к печати 19 апреля 2007 г.)

С помощью решения 2D уравнения Шредингера установлены закономерности распределения носителей заряда в наноструктурах Si/Si1-xGex и изменения эффективности излучательной рекомбинации при переходе от кластеров 2D пирамидальной формы к 3D кластерам куполообразной формы с ростом толщин нанослоев. Учтено влияние состава слоев на эффективность упругого напряжения в структуре и, как следствие, на изменение зон проводимости и валентной зоны Si1-xGex-наноструктур. При реализации предложенной кинетической модели, описывающей рекомбинационные процессы в кристаллических структурах, обнаружено насыщение интенсивности излучения с увеличением интенсивности накачки, что обусловлено увеличением вклада оже-рекомбинации. Снижение вклада безызлучательной оже-рекомбинации достигается снижением темпа инжекции носителей заряда в кластеры, а именно увеличением концентрации кластеров и увеличением скорости излучательной рекомбинации.

PACS: 78.67.-n, 78.60.Fi

 PDF версия (324Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster