ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Глубокие уровни и электронный транспорт
в гетероструктурах AlGaN/GaN

И.В.Антонова, В.И.Поляков *, А.И.Руковишников *,
В.Г.Мансуров, К.С.Журавлев

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
103907 Москва, Россия

(Получена 18 апреля 2007 г. Принята к печати 24 апреля 2007 г.)

На основе измерений вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и спектроскопии глубоких уровней проведено сравнение концентрации центров с глубокими уровнями и проводимости канала гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота. Обнаружены два типа центров с глубокими уровнями, одни из которых предположительно связаны с точечными дефектами, локализованными вблизи дислокаций, а вторые собственно с дислокациями. Увеличение концентрации центров с глубокими уровнями коррелирует с увеличением удельного сопротивления канала. Плотность центров с глубокими уровнями может достигать значений ~1013 см-2 и приводить к компенсации электронного канала на гетерогранице.

PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lq, 73.61.Ey

 PDF версия (367Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster