ФТП, 2007, том 41, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модуляционная оптическая спектроскопия экситонов в структурах с множественными квантовыми ямами GaAs, разделенными туннельно-непрозрачными барьерами

В.В.Чалдышев, А.С.Школьник, В.П.Евтихиев, T.Holden\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Brooklyn College of the City University of New York, Brooklyn,
11210, USA

(Получена 28 декабря 2006 г. Принята к печати 23 апреля 2007 г.)

Методом оптического бесконтактного электроотражения при различных температурах исследованы экситонные состояния в структуре с периодической системой из 36 квантовых ям GaAs, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами AlGaAs толщиной 104 нм. В этой структуре 32 квантовые ямы имели ширину 15 нм, а еще 4 квантовые ямы, а именно 5, 14, 23 и 32-я, были шириной 20 нм. Периодичность структуры соответствовала брэгговскому условию интерференции на частоте экситонов в квантовых ямах при угле падения света ~43o. Путем количественного анализа формы линии бесконтактного электроотражения определены параметры основных и возбужденных состояний экситонов в обоих типах квантовых ям. Установлено, что для системы из 4 ям шириной 20 нм, расположенных на расстоянии 830 нм друг от друга, энергия размерного квантования в основном состоянии равна 8.4±0.1 мэВ, а параметр уширения экситонного пика составляет 1.8±0.1 мэВ при 17 K и возрастает до 2.0±0.1 мэВ при 80 K. Для системы из 32 ям шириной 15 нм энергия размерного квантования в основном состоянии равна 14.9±0.1 мэВ, а параметр уширения экситонного пика составляет 2.2±0.1 и 2.6±0.1 мэВ при 17 и 80 K соответственно. Рассмотрены возможные причины радиационного и нерадиационного уширения экситонных состояний в этих системах.

PACS: 71.35.Cс, 73.21.Fg, 78.67.De

 PDF версия (226Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster