ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности динамической инжекции и процессов модуляции базового слоя в мощных n+-p-p+-структурах

Т.Т.Мнацаканов, М.Е.Левинштейн\kern1pt*, А.Г.Тандоев, С.Н.Юрков

Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,
111250 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 12 марта 2007 г. Принята к печати 19 марта 2007 г.)

Исследовано влияние эффекта насыщения скорости электронов на переключение n+-p-p+-структуры в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что насыщение скорости инжектированных n+-p-эмиттером электронов существенно замедляет пролет волны электронов через p-базу n+-p-p+-структуры. Этот эффект сказывается также на этапе накопления носителей заряда в p-базе структуры. Проявления эффекта насыщения скорости оказываются тем более существенными, чем больше толщина базового слоя и чем больше скорость нарастания тока, текущего через структуру. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффекта насыщения скорости носителей. Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента.

PACS: 72.20.Ht, 73.40.Lq, 84.30.Jc

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster