ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

Свойства \glqq иммерсионных\grqq фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb ($$lambda=1.8-2.3 мкм) в интервале температур $20-140o$C

С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев$$, М.А.Ременный, А.А.Шленский$$\kern1pt$$, Л.С.Лунин$*$,
В.И.Ратушный$*$, А.В.Корюк$*$, Н.Г.Тараканова$+$

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
$\$\$$ Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ),
119017 Москва, Россия
$*$ Южно-Российский государственный технический университет,
346400 Новочеркасск, Россия
$+$ ООО \glqq Иоффе-ЛЕД\grqq,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 12 февраля 2007 г. Принята к печати 28 февраля 2007 г.)

PDF версия (542Kb)	Другие выпуски	Другие журналы		Помощь

Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster