ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si),
заключенных между напряженными слоями Si

М.В.Шалеев\kern1pt+, А.В.Новиков\kern1pt+*, А.Н.Яблонский\kern1pt+, О.А.Кузнецов\kern1pt,
Ю.Н.Дроздов\kern1pt+*, Д.Н.Лобанов\kern1pt+, З.Ф.Красильник\kern1pt+*

+ Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950, ГСП-105, Нижний Новгород, Россия
* Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 29 марта 2007 г. Принята к печати 9 апреля 2007 г.)

Исследовано влияние температуры роста на фотолюминесценцию структур с островками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферных слоях SiGe/Si(001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что при уменьшении температуры роста в интервале 700-630oC пик фотолюминесценции островков смещается в область меньших энергий, что обусловлено увеличением содержания Ge в островках и подавлением размытия напряженных Si-слоев. Обнаруженное смещение пика в область больших энергий при понижении температуры роста с 630 до 600oC связывается с изменением типа островков с dome на hut, которое происходит в этом интервале температур и сопровождается резким уменьшением средней высоты островков. Большая ширина пика фотолюминесценции hut-островков по сравнению с пиком фотолюминесценции dome-островков вызвана большим разбросом hut-островков по размерам.

PACS: 68.37.Ps, 71.20.Nr, 78.55.Hx, 78.67.Hc, 81.07.Ta, 81.15.Hi

 PDF версия (220Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster