ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Получение квантовых точек методом селективной интердиффузии в CdTe/CdMgTe-квантовых ямах

С.В.Зайцев , М.К.Вельш *1, А.Форхел *, Г.Бахер +

Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
* Technische Physik, Universitat Wurzburg, Am Hubland,
D-97074 Wurzburg, Germany
+ Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik, Universitat Duisburg-Essen,
D-47057 Duisburg, Germany

(Получена 20 марта 2007 г. Принята к печати 2 апреля 2007 г.)

Индивидуальные квантовые точки реализованы методом селективной интердиффузии между барьерами и слоем квантовой ямы CdTe/CdMgTe. Гетероструктура с предварительно нанесенной на поверхность маской SiO2, содержащей открытые апертуры диаметром вплоть до 140 нм, была подвергнута кратковременному отжигу в течение одной минуты при температуре 410oC. Отжиг вызывает диффузию атомов Mg в глубь квантовой ямы, существенно усиленную под маской. Возникший латеральный потенциал с минимумами в области апертур маски эффективно локализует носители, образующие квазинульмерные экситоны. Изучение излучательной рекомбинации свидетельствует о полной пространственной локализации экситонов, что проявляется в существенном сужении ширины линии экситонного перехода, а также наблюдении биэкситона и возбужденных состояний при выскоких уровнях фотовозбуждения. Характерные значения энергий межуровневого расщепления и энергии связи биэкситона указывают на режим слабой локализации носителей в квантовых точках.

PACS: 73.21.La, 73.22.Dj, 81.07.Ta

 PDF версия (252Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster