ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Емкостные исследования многослойных ансамблей
InAs-квантовых точек в GaAs-матрице

А.А.Гуткин\kern1pt, П.Н.Брунков, С.Г.Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 марта 2007 г. Принята к печати 28 марта 2007 г.)

Проведен анализ квазистатических емкостных характеристик многослойных массивов вертикально связанных InAs-квантовых точек в матрице n-GaAs в предположении о гауссовом распределении энергии основного состояния квантовых точек. Массив InAs квантовых точек с характерным размером основания около 20 нм и высотой ~3 нм был упорядочен в направлении роста и состоял из 3, 6 или 10 слоев, находящихся друг от друга на расстоянии ~5 нм. Установлено, что с увеличением числа слоев от 3 до 10 средняя энергия связи основного состояния электронов увеличивается от ~ 80 до ~120 мэВ, а среднее квадратичное отклонение, характеризующее распределение уровней этого состояния по энергиям, уменьшается от ~ 30 до ~15 мэВ.

PACS: 68.65.Hb, 73.21.La, 73.63.Kv

 PDF версия (201Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster