ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si : Er/n++

В.П.Кузнецов, Д.Ю.Ремизов\kern1pt$, В.Б.Шмагин\kern1pt$, К.Е.Кудрявцев\kern1pt$, В.Н.Шабанов,
С.В.Оболенский\kern1pt*, О.В.Белова, М.В.Кузнецов, А.В.Корнаухов,
Б.А.Андреев\kern1pt$, З.Ф.Красильник\kern1pt$

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
$ Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 4 апреля 2007 г. Принята к печати 16 апреля 2007 г.)

Обсуждаются результаты экспериментов по исследованию электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах типа p++/n+/n-Si : Er/n++, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью структур является то, что области формирования потока электронов (n+-Si) и ударного возбуждения ионов эрбия (n-Si : Er) пространственно разнесены. Исследовано влияние толщины слоя n+-Si на электрические и электролюминесцентные свойства диодов. Показано, что уменьшение толщины слоя n+-Si вызывает трансформацию механизма пробоя структуры в направлении туннельный -> лавинный. Зависимость интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ от толщины высоколегированной области n+-Si носит колоколообразный характер. При уровне легирования слоя n+-Si n~ 2·1018 см-3 максимальная интенсивность электролюминесценции достигается при толщине слоя n+-Si ~23 нм.

PACS: 78.60.Fi, 85.30.Mn, 85.60.Jb

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster