ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства кристаллов CuIn3Se5 и структур In/CuIn3Se5

И.В.Боднарь, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь+,

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Республика Беларусь
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 марта 2006 г. Принята к печати 28 февраля 2007 г.)

Методом направленной кристаллизации при отклонении состава расплава от стехиометрического выращены монокристаллы p-CuIn3Se5. Исследованы электрические свойства гомогенных кристаллов, и обнаружены зависимости удельного сопротивления p-CuIn3Se5 от избыточного содержания селена в расплаве. Установлено увеличение вольтовой фоточувствительности структур In/CuIn3Se5 с возрастанием избытка селена в расплаве. Обсуждаются энергетический спектр и характер межзонных переходов в кристаллах CuIn3Se5. Сделан вывод о возможности использования тройного соединения CuIn3Se5 в высокоэффективных фотопреобразователях солнечного излучения.

PACS: 72.20.Fr, 73.30+y, 73.40.Ns, 73.50.Pz

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster