ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Катодолюминесценция слабых растворов GaNxAs1-x (x=< 0.03)

П.Н.Брунков, А.А.Гуткин\kern1pt*, М.В.Заморянская, В.С.Хрусталев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 марта 2007 г. Принята к печати 28 марта 2007 г.)

В интервале энергий фотонов от края собственной полосы поглощения до 3 эВ при комнатной температуре измерена катодолюминесценция слоев GaNxAs1-x (0=< x=<0.03). В видимой области спектров катодолюминесценции обнаружена дополнительная полоса излучения, интенсивность которой более чем на 2 порядка ниже интенсивности краевого излучения. Энергия фотонов, отвечающая максимуму этой полосы, и ее полуширина практически не зависят от x и составляют соответственно ~2.1 и 0.6--0.7 эВ. Это излучение связывается с непрямыми оптическими переходами электронов из L6c- и Delta-минимумов зоны проводимости в Gamma15-максимум валентной зоны.

PACS: 78.60.Hk, 78.66.Fd

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster