ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник
О б з о р

Т.В.Бланк, Ю.А.Гольдберг

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 января 2007 г. Принята к печати 2 апреля 2007 г.)

Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл--полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа AIIBVI (ZnSe, ZnO), AIIIBV (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), AIV (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. В омических контактах на основе слабо легированных полупроводников основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия, причем высота потенциального барьера металл--полупроводник составляет чаще всего 0.1-0.2 эВ. В омических контактах на основе сильно легированных полупроводников протекание тока осуществляется за счет полевой эмиссии, а высота потенциального барьера металл--полупроводник равна примерно 0.3-0.5 эВ. В сплавных In-контактах к GaP и GaN проявляется механизм протекания тока, не характерный для диодов Шоттки, --- протекание тока по металлическим шунтам, образованным за счет осаждения атомов металла на дислокациях или других несовершенствах в полупроводнике.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 81.40.Ef

 PDF версия (797Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster