ФТП, 2007, том 41, выпуск 11ФТП, 2007, том 41, выпуск 11| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник | 1281 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Терентьев Я.В., Люблинская О.Г., Усикова А.А., Торопов А.А., Соловьев В.А., Иванов С.В. Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs | 1309 |
| Брунков П.Н., Гуткин А.А., Заморянская М.В., Хрусталев В.С. Катодолюминесценция слабых растворов GaNAs () | 1314 |
| Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, \glqq локализующим\grqq уровень Ферми | 1317 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Свойства кристаллов CuInSe и структур In/CuInSe | 1324 |
| Айзенштат Г.И., Лелеков М.А., Толбанов О.П. Измерение высоты барьера на границе металлполуизолирующий арсенид галлия | 1327 |
| Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шмагин В.Б., Кудрявцев К.Е., Шабанов В.Н., Оболенский С.В., Белова О.В., Кузнецов М.В., Корнаухов А.В., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах -Si : Er | 1329 |
| Низкоразмерные системы | |
| Arapov Yu.G., Neverov V.N., Harus G.I., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Gudina S.V., Karskanov I.V., Kuznetsov O.A., de Visser A., Ponomarenko L. Transport properties of two-dimensional hole gas in a GeSi/Ge/GeSi quantum well in a vicinity of metal--insulator transition | 1333 |
| Покутний С.И. Экситонные состояния в полупроводниковых квантовых точках в рамках модифицированного метода эффективной массы | 1341 |
| Грешнов А.А., Зегря Г.Г. Целочисленный квантовый эффект Холла в коррелированном хаотическом потенциале | 1347 |
| Гуткин А.А., Брунков П.Н., Конников С.Г. Емкостные исследования многослойных ансамблей InAs-квантовых точек в GaAs-матрице | 1353 |
| Зайцев С.В., Вельш М.К., Форхел А., Бахер Г. Получение квантовых точек методом селективной интердиффузии в CdTe/CdMgTe-квантовых ямах | 1357 |
| Седова И.В., Люблинская О.Г., Сорокин С.В., Ситникова А.А., Торопов А.А., Donatini F., Dang Le Si, Иванов С.В. Структуры с квантовыми точками CdSe в матрице ZnSe, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием субмонослоя-стрессора CdTe | 1363 |
| Паленов Д.А., Жигунов Д.М., Шалыгина О.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Особенности релаксации энергии электронного возбуждения в связанных молекулярно-твердотельных системах на основе кремниевых нанокристаллов при интенсивной оптической накачке | 1370 |
| Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными слоями Si | 1375 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Бреусова М.О., Пушкарев В.Е., Зотеев А.В., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р. Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых структурах на основе молекул моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия | 1381 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В. Смешение частот в системе двух лазерных диодов | 1384 |
| Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Шленский А.А., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Корюк А.В., Тараканова Н.Г. Свойства \glqq иммерсионных\grqq фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb ( мкм) в интервале температур C | 1389 |
| Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода | 1395 |
| Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Тандоев А.Г., Юрков С.Н. Особенности динамической инжекции и процессов модуляции базового слоя в мощных -структурах | 1401 |