ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiOx с включениями нанокристаллов Si

И.З.Индутный , И.Ю.Майданчук, В.И.Минько, П.Е.Шепелявый, В.А.Данько

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 28 декабря 2006 г. Принята к печати 13 марта 2007 г.)

Исследовано влияние химической обработки в насыщенных парах аммиака и ацетона на спектральный состав и интенсивность фотолюминесценции в пористых пленках SiOx, содержащих нанокристаллы кремния (nc-Si). Пористость пленок SiOx обеспечивалась наклонным осаждением термически испаренного в вакууме кремния или его монооксида на полированные кремниевые подложки. Кинетика адсорбции паров контролировалась по изменению частоты кварцевого осциллятора, на который наносились исследуемые пленки. В результате химической обработки и последующего высокотемпературного отжига при температуре 950oC пленок SiOx в их спектре фотолюминесценции появляется новая (по сравнению с необработанными), более коротковолновая полоса, положение максимума которой зависит от состава пленки, а интенсивность --- от длительности обработки. Наблюдали гашение новой полосы фотолюминесценции под воздействием лазерного излучения (длина волны 488 нм), которое сильнее проявляется в максимуме полосы. Показана возможность управления характеристиками фотолюминесценции пористых структур при помощи химической обработки.

PACS: 78.55.Mb, 79.60.Jv, 81.40.Ef

 PDF версия (250Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster