ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние искривления зон энергии на нестационарную эдс Дембера в биполярных полупроводниках

А.Конин

Институт физики полупроводников,
LT-01108 Вильнюс, Литва

(Получена 14 июня 2006 г. Принята к печати 27 марта 2007 г.)

Развита теория нестационарной эдс Дембера в биполярных полупроводниках, учитывающая реальные граничные условия на металлическом контакте и искривление зон энергии у поверхности образца. Показано, что поверхностный потенциал может значительно изменить величину эдс Дембера, а также ее фазочастотную характеристику.

PACS: 73.20.At, 73.40.Cg, 73.50.Gr, 73.50.Pz

 PDF версия (117Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster