ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование спектров фотолюминесценции GaMnAs, полученного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии

П.Б.Парчинский\kern1pt, А.Ю.Бобылев, С.И.Власов, ФуЧен Ю\kern1pt+, ДожинКим\kern1pt+

Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека,
700174 Ташкент, Узбекистан
+ Чунгнамский национальный университет,
305-764 Дэджон, Республика Корея

(Получена 10 января 2007 г. Принята к печати 13 марта 2007 г.)

В температурном интервале 4-150 K исследованы спектры люминесценции слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. В спектрах слоев GaMnAs, содержащих кластеры MnAs, обнаружены локальные максимумы при энергиях 1.36 и 1.33 эВ. Показано, что величина красного сдвига линии экситонной люминесценции зависит от содержания Mn в полупроводниковой матрице.

PACS: 71.55.-i, 75.50.Pp, 78.55.Hx

 PDF версия (207Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster