ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Электронные и оптические свойства полупроводников
Эльмурoтова Д.Б., Ибрагимова Э.М. Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe(Te,O) после *gamma* -облучения	1153
Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. Влияние легирования медью на кинетические явления в кристаллах $n -Bi$ ₂ Te_2.85 Se_0.15	1158
Парчинский П.Б., Бобылев А.Ю., Власов С.И., Чен Ю Фу, Ким Дожин Исследование спектров фотолюминесценции GaMnAs, полученного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии	1163

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Афанасьев А.М. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn	1168
Белов А.Г., Белова И.М., Каневский В.Е., Свиридов М.С., Шленский А.А. О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_1-xTe при $T=77$ K	1178
Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г. О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний--полимер--металл	1182
Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. Создание и свойства точечных структур на монокристаллах $n$ -InSe	1187
Рудь В.Ю., Тиванов М.С., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П., Залесский В.Б., Леонова Т.Р., Романов П.И. Фоточувствительность структур на пленках Cu(In,Ga)(S,Se)₂, полученных термообработкой в парах S и Se	1190
Георгицэ А.Е., Иванов-Омский В.И., Мунтяну Ф.М., Караман М.И., Постолаки И.Т. Об особенностях энергетического спектра узкозонных полупроводниковых бикристаллов сплавов Bi_1-xSb_x ( $0.06=< x=< 0.20$ )	1195
Тягинов С.Э., Векслер М.И., Грехов И.В., Zaporojtchenko V. Определение характерного пространственного масштаба флуктуаций толщины туннельно-тонкого диэлектрика в МДП структурах на основе данных электрических измерений	1198
Конин А. Влияние искривления зон энергии на нестационарную эдс Дембера в биполярных полупроводниках	1203
Мурыгин В.И., Фаттахдинов А.У., Локтев Д.А., Гундырев В.Б. Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры	1207

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Драпак С.И., Ковалюк З.Д. Экспериментальное исследование влияния ароматических углеводородов на удельное сопротивление селенида индия	1214
Аванесян В.Т., Баранова Е.П. Релаксация фотодиэлектрического эффекта в слоях Pb₃O₄	1218
Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Бреусова М.О., Пушкарев В.Е., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р. Оптические свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов эрбия в ближней и средней инфракрасной области спектра	1221

Физика полупроводниковых приборов
Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демина П.Б., Семенов Н.Н., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Дубинов А.А., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Белянин А.А., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В. Многочастотный межзонный двухкаскадный лазер	1226
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Серба А.А., Соколовский И.О. Сравнительный анализ эффективности фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах при концентрированном освещении для стандартной и тыловой геометрий расположения контактов	1231
Кузьменков А.Г., Блохин С.А., Малеев Н.А., Сахаров А.В., Тихомиров В.Г., Максимов М.В., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Леденцов Н.Н., Yang H.P.D., Lin G., Hsiao R.S., Chi J.Y. Использование пространственно упорядоченных массивов травленых отверстий для создания одномодовых вертикально излучающих лазеров на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек	1241
Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Рудова Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Борщев К.С., Арсентьев И.Н., Бондарев А.Д., Трукан М.К., Тарасов И.С. Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки	1247

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Болховитянов Ю.Б., Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Колесников А.В., Соколов Л.В. Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярной эпитаксии	1251
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Harmand J.C. Нуклеация на боковой поверхности и ее влияние на форму нитевидных нанокристаллов	1257
Индутный И.З., Майданчук И.Ю., Минько В.И., Шепелявый П.Е., Данько В.А. Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiO_x с включениями нанокристаллов Si	1265
Кузнецов Г.Ф. Дефекты структуры полупроводниковых сверхрешеток, выращиваемых на основе твердых растворов соединений A^IIB^VI	1272