ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN,
покрытых люминофорами1

Н.А.Гальчина, Л.М.Коган, Н.П.Сощин,* С.С.Широков,$ А.Э.Юнович\kern1pt$

Научно-производственный центр оптико-электронных приборов << ОПТЭЛ>>,
105187 Москва, Россия
* Федеральное государственное унитарное предприятие << НИИ \glqq Платан\grqq>>,
141190 Фрязино, Россия
$ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119899 Москва, Россия

(Получена 5 декабря 2006 г. Принята к печати 25 декабря 2006 г.)

Изучены спектры электролюминесценции светодоидов на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN в ближней ультрафиолетовой области спектра (360--405 нм). Максимумы спектров излучения лежат вблизи 385 и 395 нм, интенсивность излучения спадает экспоненциально с энергией квантов в коротковолновой и длинноволновой областях. Исследованы излучатели в зеленой и желтой спектральной области на основе этих светодиодов, покрытых силикатными люминофорами. Спектры люминесценции люминофоров имеют гауссову форму и максимумы в диапазоне от 525 до 560 нм. Цветовые характеристики излучателей зависят от отношения интенсивностей ультрафиолетовой и желто-зеленой полос. Обсуждаются возможности создания светодиoдов видимого свечения на основе ультрафиолетовых светодиодов, возбуждающих цветные люминофоры.

PACS: 78.60.Fi, 85.60.Jb

 PDF версия (572Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster