ФТП, 2007, том 41, выпуск 8

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


The 8 th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors June 11 $-$ 14, 2006 (с. \pageref 5325 $-$ \pageref 5327) (продолжение)
Borisov S.S., Zaitsev S.I., Grachev E.A. Simulation of the fluctuations of energy and charge deposited during $e$ -beam exposure	899
Nashchekin A.V., Baryshev S.V., Sokolov R.V., Usov O.A. Cathodoluminescence studies of C₆₀ fullerene-based films and nanostructures	901
Sharkov M.D., Pogrebitsky K.Ju., Konnikov S.G. Method for Extracting of EXAFS Oscillation Function Based on the Variation Principle	904

\leaders \hrule \kern Электронные и оптические свойства полупроводников
Горкавенко Т.В., Зубкова С.М., Макара В.А., Русина Л.Н. Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe	908
Осипов Е.Б., Осипова Н.А., Мокина М.Е., Цветкова С.Н., Канглиев С.Д. Константы деформационного потенциала глубокого примесного центра в полупроводниках с анизотропной валентной зоной	917
Шалимова М.Б., Бесчасная Е.Г. Коррекция метода вольт-амперных характеристик для определения плотности поверхностных состояний в системе германий--фторид редкоземельного элемента	920
Рогозин И.В. Приготовление пленок ZnO : N методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии	924
Алешкин В.Я., Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Корытин А.И., Курицын Д.И., Пряхин Д.А., Шашкин В.И. Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия	929
Кудоярова В.Х., Козюхин С.А., Цэндин К.Д., Лебедев В.М. Фотолюминесценция и состав аморфных пленок As₂Se₃, модифицированных комплексным соединением Er $(thd)$ ₃	934

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Иванов П.А., Костина Л.С., Потапов А.С., Самсонова Т.П., Белякова Е.И., Аргунова Т.С., Грехов И.В. Вольт-амперные характеристики изотипных переходов SiC--SiC, изготовленных методом прямого твердофазного сращивания	941
Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Жаркова Э.А., Терин Д.В., Хасина Е.И. Влияние давления атмосферного воздуха на токоперенос в структурах с окисленным пористым кремнием	945

Низкоразмерные системы
Володин В.А., Ефремов М.Д., Якимов А.И., Михалев Г.Ю., Никифоров А.И., Двуреченский А.В. Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе Ge_xSi_1-x с учетом вклада гетерограницы	950
Кондратенко С.В., Николенко А.С., Вакуленко О.В., Головинский С.Л., Козырев Ю.Н., Рубежанская М.Ю., Водяницкий А.И. Продольная фотопроводимость гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge	955
Боднарь И.В., Гурин В.С., Соловей Н.П., Молочко А.П. Формирование и оптические свойства наночастиц CuInTe₂ в силикатной матрице	959

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И. Об аллотропном составе аморфного углерода	965
Воронцов А.С., Осминкина Л.А., Ткаченко А.Е., Константинова Е.А., Еленский В.Г., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Модификация свойств пористого кремния при адсорбции молекул йода	972

Физика полупроводниковых приборов
Воронкова Г.М., Попов В.Д., Протопопов Г.А. Уменьшение плотности ловушечных центров в оксиде кремния при радиационно-термической обработке	977
Болотов В.В., Пономарева И.В., Стенькин Ю.А., Кан В.Е. Влияние адсорбции NO₂ на оптические и электрофизические свойства слоев пористого кремния	981
Камилов И.К., Алиев К.М., Алиев Б.Г., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. Неустойчивость тока и $N$ -образная вольт-амперная характеристика в кремниевом $p-i-n$ -диоде в магнитном поле	984
Зотеев А.В., Головань Л.А., Круткова Е.Ю., Лактюнькин А.В., Мамичев Д.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Астрова Е.В., Перова Т.С. Усиление комбинационного рассеяния света в щелевых кремниевых структурах	989
Залесский В.Б., Рудь В.Ю., Гременок В.Ф., Рудь Ю.В., Леонова Т.Р., Кравченко А.В., Зарецкая Е.П., Тиванов М.С. Бескадмиевые тонкопленочные гетерофотоэлементы Cu(In,Ga)Se₂/(In₂S₃): создание и свойства	992
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Садохин А.В., Лебедев А.А. Влияние низкотемпературного отжига на характеристики SiC-детекторов с введенными радиационными дефектами	998
Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Борщев К.С., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (lambda =1.0-1.8 мкм) в импульсном режиме генерации	1003

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Антонова И.В., Соотс Р.А., Селезнев В.А., Принц В.Я. Электрическая пассивация поверхноcти кремния органическими монослоями 1-октадецена	1010
Заботнов С.В., Ежов А.А., Головань Л.А., Ластовкина М.А., Панов В.И., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Формирование наночастиц на поверхности кремния под действием фемтосекундных лазерных импульсов	1017

Персоналии
*Смирнов Леонид Степанович ( к 75-летию со дня рождения* )**	1021