ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур

А.В.Лютецкий, К.С.Борщев\kern1pt*, А.Д.Бондарев, Т.А.Налет, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, Н.В.Фетисова,
М.А.Хомылев, А.А.Мармалюк\kern1pt+, Ю.Л.Рябоштан\kern1pt+, В.А.Симаков\kern1pt+, И.С.Тарасов\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
+ Сигм Плюс,
117342 Москва, Россия

(Получена 30 октября 2006 г. Принята к печати 7 ноября 2006 г.)

В системе твердых растворов AlInGaAs/InP применена концепция мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения. Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены лазерные гетероструктуры, излучающие на длине волны 1.75-1.8 мкм. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с максимальной мощностью излучения при комнатной температуре в непрерывном режиме 2.0 и 20 Вт в импульсном режиме генерации. Внутренние оптические потери в лазерах были снижены до 2.2 см-1.

PACS: 42.55.Px, 78.67.Pt, 78.60.Fi, 85.60.Jb

 PDF версия (286Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster