-1 Предложен новый тип светодиодов --- высокоэффективный светодиод с максимумом излучения на длину волны $$lambda=1.95 мкм на основе тиристорной гетероструктуры $n$-GaSb/$p$-GaSb/$n$-GaInAsSb/$P$-AlGaAsSb и исследованы его электрические и люминесцентные характеристики. Показано, что в тиристорной структуре эффективная излучательная рекомбинация происходит в активной области GaInAsSb $n$-типа за счет двухсторонней инжекции дырок из соседних $p$-областей. В исследуемой структуре получен максимальный внутренний квантовый выход в импульсном режиме 77%. Средняя оптическая мощность достигала 2.5 мВт, а пиковая мощность в импульсном режиме 71 мВт и превышала в 2.9 раза величину мощности, полученную для стандартного светодиода $n$-GaSb/$n$-GaInAsSb/$P$-AlGaAsSb, излучающего в том же спектральном диапазоне. Предложенный подход позволит улучшить параметры светодиодов во всем среднем инфракрасном диапазоне (2--5 мкм).

PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 85.30.Rs, 78.55.Cr