ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV
(Часть II)

В.П.Улин, С.Г.Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 июня 2006 г. Принята к печати 30 ноября 2006 г.)

Проведен анализ химических и электрофизических процессов, развивающихся на межфазной границе полупроводник--электролит в условиях анодной поляризации. Показано, что при напряжениях начала порообразования на поверхности n-кристаллов AIIIBV возникают плотные хемосорбционные покрытия, а со стороны полупроводника формируется вырожденный инверсионный слой. При этом падение большей части приложенного напряжения в адсорбционном слое создает предпосылки для протекания реакций нуклеофильного замещения с участием хемосорбированных анионов и координационно-насыщенных атомов под поверхностью кристалла. Рассмотрены механизмы реализации этих реакций применительно к кристаллам со структурой сфалерита. На базе полученных представлений объясняются результаты экспериментальных исследований структур и составов пористых слоев в кристаллах AIIIBV, сформированных в различных электролитах при различных значениях поляризующего напряжения.

PACS: 61.43.Gt, 68.43.-h, 81.05.Ea, 81.05.Rm, 81.05.Zx, 81.40.-z, 82.45.-h, 82.65.+r

 PDF версия (300Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster