ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV
(Часть I)

В.П.Улин, С.Г.Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 ноября 2006 г. Принята к печати 30 ноября 2006 г.)

Представлены результаты экспериментального изучения анодного поведения кристаллов соединений AIIIBV в растворах электролитов. Получены зависимости напряжения начала порообразования от состава и уровня легирования полупроводника, состава и концентрации раствора электролита, кристаллографической ориентации анодируемой поверхности. Исследованы химические и фазовые составы продуктов реакций порообразования, образующихся в различных системах полупроводник--электролит. Изучена структура пористых слоев, возникающих в кристаллах GaAs, InP и GaP в водных и неводных растворах. Выявлены условия анизотропного распространения пор в этих кристаллах по направлениям <111>B и <111>A. Полученные результаты демонстрируют кардинальное отличие химических механизмов реакций порообразования от механизмов анодного травления соединений AIIIBV.

PACS: 61.43.Gt, 68.43.-h, 81.05.Ea, 81.05.Rm, 81.05.Zx, 81.40-z, 82.45.Jn, 82.65.+r

 PDF версия (719Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster