ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности латеральной электропроводности легированных островковых Si/Ge-структур p-типа

В.А.Гергель, Т.М.Бурбаев\kern1pt*, В.А.Курбатов\kern1pt*, А.О.Погосов\kern1pt*, М.Рзаев\kern1pt*,
Н.Н.Сибельдин\kern1pt*, И.М.Щелева, М.Н.Якупов

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
* Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 9 ноября 2006 г. Принята к печати 23 ноября 2006 г.)

Выполнен численный расчет проводимости структур с профилированным легированием вдоль направления протекания тока с учетом разрывов зон на границах высокоомных и низкоомных областей. Найдено, что вольт-амперные характеристики таких структур должны иметь S-образный вид, в пределе с отрицательным участком вольт-амперной характеристики, при этом критическим параметром теории является резкость гетероперехода между узкозонной и широкозонной составляющими структуры и степень легирования. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены легированные островковые структуры Si/Si1-xGex p-типа проводимости с различными размерами островков и различными величинами разрывов зон. Результаты теоретического анализа сопоставлены с результатами измерений латеральной электропроводности выращенных структур.

PACS: 73.40.Lq, 73.61.Cw, 73.63.Bd

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster