ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Атомная и электронная структура поверхности GaAs(001)

С.Е.Кулькова\kern1pt+*, С.В.Еремеев\kern1pt+*, А.В.Постников\kern1pt$$, Д.И.Бажанов\kern1pt\wedge\#, Б.В.Потапкин\kern1pt \#

+ Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,
636021 Томск, Россия
* Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
$$ Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
Университет Поля Верлена,
F-57078, Мец, Франция
\wedge Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
\# Kinetic Technologies Ltd,
123182 Москва, Россия

(Получена 20 сентября 2006 г. Принята к печати 2 октября 2006 г.)

В рамках псевдопотенциального подхода изучена атомная структура четырех структурных реконструкций полярной поверхности GaAs(001), обогащенной галлием. Определены геометрические параметры поверхностных структур alpha-, beta-, beta2- и zeta-GaAs(001)-(4\kern-1ptx\kern-1pt2). Рассчитана электронная структура и относительные поверхностные энергии. Рассмотрена адсорбция цезия на Ga-стабилизированной zeta-структуре GaAs(001)-(4\kern-1ptx\kern-1pt2). Наибольшая энергия адсорбции (2.57 эВ) получена в позиции S5, которая отличается повышенной координацией атома цезия атомами мышьяка. Анализ электронной структуры позволил прояснить механизм связи цезия на поверхности GaAs(001) и вносимые им изменения в поверхностную электронную структуру подложки.

PACS: 68.35.Bs, 68.43.Bc, 68.43.Fg, 81.05.Ea

 PDF версия (603Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster