| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Конверсия типа проводимости при ионном травлении узкощелевых монокристаллов HgCdTe, легированных Au и Ag
В.В.Богобоящий, И.И.Ижнин, М.Поцяск, К.Д.Мынбаев, В.И.Иванов-Омский
Кременчугский государственный политехнический университет,
39614 Кременчуг, Украина
Научно-производственное предприятие \glqq Карат\grqq,
79031 Львов, Украина
Институт физики Университета Жешув,
35-310 Жешув, Польша
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 11 декабря 2006 г. Принята к печати 18 декабря 2006 г.)
|
Исследованы основные закономерности вызванной ионным травлением конверсии типа проводимости из в в диффузионно-легированных Au и Ag монокристаллах HgCdTe. Предложен механизм конверсии, включающий быструю диффузию атомов межузельной ртути из поверхностного источника большой концентрации, и вытеснение ими атомов примеси из катионной подрешетки в междоузлия, обеспечивающее переход атомов примеси из акцепторного состояния в донорное. Показано, что структура дефектов конвертированного слоя нестабильна и его электрические параметры изменяются при хранении при комнатной температуре. Наиболее вероятным механизмом этого процесса при комнатной температуре является распад пересыщенного раствора примеси. Реконверсия обратно в -тип, наблюдаемая при изохронном отжиге образцов, связана с диффузией примеси в конвертированный слой из неконвертированного объема образца или микровключений примеси. PACS: 61.72Vv, 66.30Jt, 73.61Ga, 81.40.Rs |
| PDF версия (191Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |