ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности электролюминесценции эрбия в неупорядоченных полупроводниках, обусловленные различием заряда локализованных состояний

А.Б.Шмелькин , К.Д.Цэндин *

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 ноября 2006 г. Принята к печати 3 декабря 2006 г.)

Рассмотрено влияние заряда дефектов и доноров на процесс электролюминесценции. Было показано, что учет различия температурных и полевых зависимостей вероятности термостимулированных туннельных переходов электронов с D--дефектов и N0-доноров позволяет объяснить специфические температурные и полевые зависимости проводимости и электролюминесценции.

PACS: 71.23.-k, 71.23.Cq

 PDF версия (193Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster