ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Действие повреждающих облучений (p,e,gamma) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs и GaSb

В.М.Андреев, В.В.Евстропов, В.С.Калиновский , В.М.Лантратов, В.П.Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 октября 2006 г. Принята к печати 31 октября 2006 г.)

Свойства многопереходных солнечных элементов зависят от свойств составляющих фотовольтаических и туннельных p-n-переходов. В настоящей работе свойства области пространственного заряда фотовольтаических и туннельных p-n-переходов изучались с помощью темновой вольт-амперной характеристики на примере двух полупроводников: узкозонного, GaSb, и широкозонного, GaAs. Изучено действие повреждающих радиационных облучений протонами (энергия 6.78 МэВ, максимальный флюенс 3· 1012 см-2), электронами (энергия 1 МэВ, максимальный флюенс 3·1016 см-2) и gamma-квантами (1.17-1.33 МэВ, максимальная доза 17 Мрад) на время жизни носителей в области пространственного заряда фотовольтаических p-n-переходов и на пиковый ток соединительных туннельных p-n-переходов. В фотовольтаических p-n-переходах определены коэффициенты повреждения обратного времени жизни. Определены коэффициенты эквивалентности между использованными облучениями, которые по порядку величины оказались почти не зависящими от типа и материала p-n-перехода (примерно одинаковы для фотовольтаических и туннельных p-n-переходов из GaAs и для туннельных p-n-переходов из GaAs и GaSb).

PACS: 61.80.Ed, 61.80.Fe, 61.80.Jh, 73.40.Kp, 84.60.Jt, 85.30.Kk

 PDF версия (271Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster