| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотопроводимость твердого раствора PbSnTe(In) в переменном электрическом поле
А.Е.Кожанов, А.В.Никорич, Л.И.Рябова , Д.Р.Хохлов, А.В.Дмитриев, V.Shklover
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
Институт прикладной физики Академии наук Молдовы,
MD-2028 Кишинев, Молдова
Swiss Federal Institute of Technology,
CH-8093 Zurich, Switzerland
(Получена 23 октября 2006 г. Принята к печати 3 ноября 2006 г.)
|
Исследована кинетика изменения компонент полного импеданса для монокристаллических образцов PbSnTe(In) при включении и выключении источника подсветки при температуре 4.2 K и частоте Гц. Расчет, проведенный в рамках представления эквивалентных схем, показал, что параметры аппроксимирующей поведение образца параллельной -цепочки находятся в строгой корреляции. В области низких сопротивлений значения резко возрастают, следуя закону . При этом не имеет значения, каким способом было индуцировано уменьшение сопротивления: нагревом образца или с помощью подсветки при низкой температуре. Анализ полученных результатов проводится с учетом вклада примесной подсистемы в емкостной вклад в проводимость и возможного проявления эффектов типа Максвелла--Вагнера. PACS: 72.40.+w, 81.05.Hd |
| PDF версия (163Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |