ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg

В.А.Кульбачинский, П.В.Гурин, Ю.А.Данилов$, Е.И.Малышева$, Y.Horikoshi*, K.Onomitsu*

Московский государственный университет (кафедра физики низких температур),
119992 Москва, Россия
$ Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603950 Нижний Новгород, Россия
* School of Science and Engineering, Waseda University,
3-4-1, Okubo, Tokyo 169-8555, Japan

(Получена 10 октября 2006 г. Принята к печати 24 октября 2006 г.)

Синтезированы и исследованы слои GaAs, легированного имплантацией ионов Mn, а также ионов Mg для увеличения концентрации дырок. Измерения с помощью SQUID-магнетометра показали наличие ферромагнетизма при температурах до 400 K, что связывается с образованием в результате высокотемпературного отжига наряду с твердым раствором Ga1-xMnxAs кластеров MnAs и MnyGa1-y. При температурах от 4.2 до 200 K наблюдался аномальный эффект Холла. При увеличении температуры от 4.2 K колоссальное отрицательное магнетосопротивление переходило в гигантское положительное при T~35 K.

PACS: 73.50.Jt, 73.61.Ey, 75.47.-m, 75.50.Pp

 PDF версия (248Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster