ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита. Нитриды галлия и алюминия

Т.В.Горкавенко\kern1pt, С.М.Зубкова\kern1pt*, Л.Н.Русина\kern1pt*

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко,
03022 Киев, Украина
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
03680 Киев, Украина

(Получена 27 сентября 2006 г. Принята к печати 2 октября 2006 г.)

Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости актуальных экстремумов энергии в высокосимметричных точках Gamma, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна гексагональных модификаций нитридов галлия и алюминия, а также основных межзонных переходов между ними. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая--Валлера, а вклад линейного расширения решетки --- через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергетических уровней, межзонных переходов. Сравнение с имеющимися в литературе экспериментальными данными показало хорошее согласие.

PACS: 71.20.Nr

 PDF версия (398Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster