ФТП, 2007, том 41, выпуск 6: page 651...

ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах $p$ -Si

Т.А.Пагава

Грузинский технический университет, РЦСИ,
0175 Тбилиси, Грузия

(Получена 26 июня 2006 г. Принята к печати 30 августа 2006 г.)

Исследовались монокристаллы

p

-кремния полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок

p=6

·10¹³ см

^-3. Образцы облучались электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов производился в интервале температур

T

_ann=100-500^oC. Исследования проводились методом Холла в интервале

77-300

K. Показано, что отжиг дивакансий происходит путем их преобразования в комплексы B

_sV₂. Комплексу B

_sV₂ соответствует уровень энергии

E

_v+0.22 эВ, и он отжигается в интервале температур

360-440

^oC. Высказано предположение, что дефекты с уровнем

E

_v+0.2 эВ, которые отжигаются в интервале температур

T

_ann=340-450^oC, являются мультикомпонентными комплексами и содержат атомы легирующей и фоновых примесей.

PACS: 61.72.Ce, 61.80.Fe, 72.80.Cw