ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературная перекристаллизация нанометровых слоев Ge на ZnSe

С.П.Супрун , Е.В.Федосенко

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 26 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Приведены результаты наблюдения в динамике методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии процесса низкотемпературной перекристаллизации аморфного слоя Ge, осажденного при комнатной температуре на пленку ZnSe. Показано, что экспериментально измеренные сдвиги остовного уровня германия 3d согласуются с изменениями кристаллической структуры слоя, наблюдаемыми методом дифракции быстрых электронов на отражение, и могут быть объяснены последовательными изменениями Ge на наноуровне с ростом температуры.

PACS: 64.70.Nd, 68.35.-p, 68.37.Xy, 79.60.Bm, 81.07.Ta, 81.40.Ef, 81.65.-b

 PDF версия (235Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster