ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN

Д.С.Сизов\kern1pt, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов, В.В.Лундин, Ю.Г.Мусихин,
В.С.Сизов, Р.А.Сурис, А.Ф.Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 июня 2006 г. Принята к печати 19 июня 2006 г.)

На примере квантовых точек InGaN теоретически и экспериментально исследовались электронно-оптические свойства ансамблей квантовых точек с различной энергией активации с уровня основного состояния в область непрерывного спектра. Показано, что в зависимости от величины этой энергии возможна как квазиравновесная статистика носителей на уровнях квантовых точек, так и неравновесная статистика при комнатной температуре. В последнем случае положение максимума излучения определяется величиной демаракационного перехода: квантовые точки с энергией перехода выше этой велчины обладают квазиравновесной заселенностью носителей, а квантовые точки с энергией ниже этой величины --- неравновесной. В теоретическом рассмотрении использовалась модель, основанная на скоростных уравнениях. Ключевыми параметрами, определяющими статистику, являются параметры термического выброса носителей, экспоненциально зависящие от энергии активации. В работе экспериментально показано, что использование стимулированного фазового распада позволяет существенно повысить энергию активации. При этом время термической активации оказывается больше времени рекомбинаци электронно-дырочной пары, что подавляет перераспределение носителей между квантовыми точками и приводит к неравновесной заселенности. Подробно исследовано влияние неравновесной заселенности на люминесцентные свойства структур с квантовыми точками.

PACS: 73.21.La, 73.67.Kv, 78.60.Fi, 78.68.Hc, 81.07.Ta

 PDF версия (687Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster