ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки

Я.В.Терентьев\kern1pt, О.Г.Люблинская, А.А.Торопов, В.А.Соловьев,
С.В.Сорокин, А.А.Усикова, С.В.Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 октября 2006 г. Принята к печати 17 октября 2006 г.)

Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (Nd~ 5· 1016 см-3) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны Eg. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше Eg, и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель.

PACS: 71.70.Ej; 78.55.Cr; 78.60.Fi

 PDF версия (218Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster