ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Белая электролюминесценция структуры ZnO/GaN

И.Е.Титков , А.С.Зубрилов, Л.А.Делимова, Д.В.Машовец,
И.А.Линийчук, И.В.Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 22 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Обнаружена белая электролюминесценция структур ZnO/GaN, полученных методом лазерного напыления ZnO : In на структуры GaN : Mg/GaN, выращенные методом MOCVD на подложке Al2O3. Белый свет получался в результате сложения двух наиболее интенсивных спектральных линий, узкой синей и широкой желтой (длины волн в максимумах 440 и 550 нм соответственно). Соотношение интенсивностей разных спектральных линий электролюминесценции гетероструктур ZnO/GaN/Al2O3 зависело от качества пленки ZnO и тока накачки. Белая электролюминесценция обусловлена высокой плотностью структурных дефектов на интерфейсе n-ZnO/p-GaN. Построена энергетическая диаграмма гетероструктуры n-ZnO/p-GaN/n-GaN и предложено качественное объяснение наблюдаемой электролюминесценции.

PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 73.40.Kp, 73.40.Lq, 78.60.-b, 78.60.Fi

 PDF версия (386Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster