ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование начальных стадий роста Pb на поверхности Si(7 7 10) методом сканирующей туннельной микроскопии

Р.А.Жачук, С.А.Тийс, Б.З.Ольшанецкий\kern1pt

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 21 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован рост островков свинца на поверхности Si(7 7 10), содержащей ступени высотой в три межплоскостных расстояния d(111), и на сингулярной поверхности Si(111) при комнатной температуре. Показано, что тройные ступени определяют форму и ориентацию островков свинца, формирующихся на поверхности Si(7 7 10). Обнаружено влияние предварительной выдержки образца кремния в вакуумной камере на размер и плотность растущих островков. Исходя их данных электронной оже-спектроскопии это влияние обусловлено адсорбцией кислорода на поверхности подложки из остаточной атмосферы вакуумной камеры.

PACS: 61.30.Hn, 61.46.Df, 68.37.Ef

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster